Gettering DP

在干式抛光工艺中，兼顾了高抗折强度和去疵性

由于晶片的益发薄型化，因此去疵性有可能降低。Gettering DP是一种新的解决方案，它采用迪思科独立开发的干式抛光工艺，不仅实现了高抗折强度，而且维持了去疵性。由于本工艺不采用化学方法，因此环境负荷小，与使用化学研磨液的工艺相比，可以通过简单的操作实现薄晶片的研磨。

特点

维持与一般研削相同的去疵性
不需要使用化学研磨液且环境负荷低的工艺
利用独立开发的干式抛光工艺，实现高抗折强度

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关于规格及功能的详细说明，请参照产品说明书。

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